Samsung RRAM Flash
Samsung RRAM Flash - Aufbau

Der neuste Trend wird zurzeit von Samsung entwickelt. Samsung entwickelt zurzeit einen neuen nichtflüchtigen Speichertyp. Einen sogenannten Resistive Random Aces Memory (RRAM).
Der neue RAM soll ein Vielfaches schneller und stromsparender sein als der aktuelle DDR RAM. Als Der neue Speicher basiert nicht auf Silizium sonder auf Oxyd mit der Bezeichnung TaOx.


Vorteile des neuen RRAM:

Das Material und die Struktur sollen für eine Reduzierung des Stromverbrauches, extremer Festigkeit und zu einer hohen Schaltgeschwindigkeit bis zu 10 ns unterstützend sein. Mit diesen Geschwindigkeiten können ohne Probleme auch Server bedient werden. Die Kombination mit einer Schottky-Batterie soll mit dieser Entwicklung möglich sein. Das soll dazu dienen Probleme mit Leckströmen in High-Density Crossbar Arrays zu beseitigen.

QUELLE: Golem


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